RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
17.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
46
Por volta de -39% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.0
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
3200
Por volta de 6.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
33
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
17.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
15.0
Largura de banda de memória, mbps
3200
21300
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
3385
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link