RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
17.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
46
Por volta de -44% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.3
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
3200
Por volta de 8 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
32
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
17.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
15.3
Largura de banda de memória, mbps
3200
25600
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
3516
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link