RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
15.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
46
Por volta de -48% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.6
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
3200
Por volta de 6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
31
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
9.6
Largura de banda de memória, mbps
3200
19200
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
2554
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link