RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
18.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
46
Por volta de -109% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.6
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
3200
Por volta de 6.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
22
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
18.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
13.6
Largura de banda de memória, mbps
3200
21300
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
3222
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT12864AA667.K8F 1GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link