RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
18.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
46
Intorno -109% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.6
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
3200
Intorno 6.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
22
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
18.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
13.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
21300
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
3222
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2666C19-8GSXK 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link