RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
17.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
46
Por volta de -53% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.0
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
3200
Por volta de 5.31 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
30
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
17.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
15.0
Largura de banda de memória, mbps
3200
17000
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
3593
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link