RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
46
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
30
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3593
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link