RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
46
91
Por volta de 49% menor latência
Razões a considerar
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
6.1
2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
4.3
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
3200
Por volta de 6.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
91
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
6.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
4.3
Largura de banda de memória, mbps
3200
21300
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
1214
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link