RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
91
Около 49% меньшая задержка
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
6.1
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
4.3
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
3200
Около 6.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
91
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
6.1
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
4.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
21300
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
1214
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link