RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
13.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
77
Около -166% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
29
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
17.2
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3311
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link