RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
77
Wokół strony -166% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3311
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link