RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
46
48
Por volta de 4% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
16.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.6
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
3200
Por volta de 8 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
48
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
13.6
Largura de banda de memória, mbps
3200
25600
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
2895
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link