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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
18.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
46
Por volta de -70% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.8
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
27700
3200
Por volta de 8.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
27
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
15.8
Largura de banda de memória, mbps
3200
27700
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-27700, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
no data
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
3539
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB Comparações de RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
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