RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
18.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
46
Около -70% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.8
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
27700
3200
Около 8.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
27
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
18.5
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
27700
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-27700, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
no data
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3539
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB Сравнения RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link