RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
46
49
Por volta de 6% menor latência
Razões a considerar
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
9.8
2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
3200
Por volta de 6.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
49
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
9.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
8.4
Largura de banda de memória, mbps
3200
21300
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
2277
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link