RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
49
Wokół strony 6% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.8
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.4
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
49
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
9.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2277
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link