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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
46
54
Por volta de 15% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
10.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.2
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
23400
3200
Por volta de 7.31 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
54
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
10.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
8.2
Largura de banda de memória, mbps
3200
23400
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 26
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
2259
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
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Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
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