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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
46
78
Por volta de 41% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
12.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.3
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
3200
Por volta de 6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
78
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
12.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
10.3
Largura de banda de memória, mbps
3200
19200
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
2113
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
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