RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
46
78
Por volta de 41% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
13.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.4
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
3200
Por volta de 5.31 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
78
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
13.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
6.4
Largura de banda de memória, mbps
3200
17000
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
1584
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link