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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
46
78
左右 41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
2
13.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
6.4
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
3200
左右 5.31 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
78
读取速度,GB/s
2,909.8
13.1
写入速度,GB/s
1,519.2
6.4
内存带宽,mbps
3200
17000
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
1584
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
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