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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Comparar
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,451.8
13.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
52
65
Por volta de -25% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
52
Velocidade de leitura, GB/s
4,605.9
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,451.8
13.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
878
2893
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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