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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Confronto
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,451.8
13.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
52
65
Intorno -25% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
52
Velocità di lettura, GB/s
4,605.9
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,451.8
13.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
878
2893
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
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