RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
16.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,168.2
13.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
60
Por volta de -100% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
30
Velocidade de leitura, GB/s
4,595.2
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,168.2
13.8
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
941
3258
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMU64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Jinyu 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link