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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Puntuación global
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,168.2
13.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
60
En -100% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
30
Velocidad de lectura, GB/s
4,595.2
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,168.2
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
941
3258
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
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