RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,168.2
11.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
60
Por volta de -71% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
60
35
Velocidade de leitura, GB/s
4,595.2
15.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,168.2
11.8
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
941
2926
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link