RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Comparez
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Note globale
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Note globale
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
15.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,168.2
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
60
Autour de -71% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
60
35
Vitesse de lecture, GB/s
4,595.2
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,168.2
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
941
2926
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link