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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,784.6
15.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
65
Por volta de -132% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
28
Velocidade de leitura, GB/s
4,806.8
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,784.6
15.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
932
3601
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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