RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,784.6
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
65
Wokół strony -132% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
3601
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Mushkin 996902 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kllisre 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link