RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB против Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,784.6
15.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
65
Около -132% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
28
Скорость чтения, Гб/сек
4,806.8
18.5
Скорость записи, Гб/сек
2,784.6
15.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
932
3601
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link