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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Comparar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
15
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,784.6
12.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
65
Por volta de -86% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
35
Velocidade de leitura, GB/s
4,806.8
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,784.6
12.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
932
2841
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparações de RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
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Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
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