RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,784.6
12.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
65
Wokół strony -86% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
35
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
2841
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link