RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15
Valor médio nos testes
Razões a considerar
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
77
Por volta de -175% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.5
2,622.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
5300
Por volta de 4.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
28
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
15.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
9.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
25600
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
2932
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Jinyu 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905598-039.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link