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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB

Pontuação geral
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Pontuação geral
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Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB

Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB

Diferenças Especificações Comentários

Diferenças

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    3 left arrow 16.4
    Valor médio nos testes
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB Razões a considerar
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
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  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    65 left arrow 77
    Por volta de -18% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    8.4 left arrow 2,622.0
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    19200 left arrow 5300
    Por volta de 3.62 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    77 left arrow 65
  • Velocidade de leitura, GB/s
    3,405.2 left arrow 16.4
  • Velocidade de escrita, GB/s
    2,622.0 left arrow 8.4
  • Largura de banda de memória, mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • Descrição
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tempos / Velocidade do relógio
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    763 left arrow 2041

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM

takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB

Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB Comparações de RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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