RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
11.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
77
Por volta de -185% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
27
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
11.0
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
2596
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Corsair CML8GX3M1A1600C10 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4D1 4GB
AMD R334G1339U2S 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link