RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
18.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
15.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
77
Por volta de -208% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
25
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
18.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
15.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
3843
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link