RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
11.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
77
Por volta de -148% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
31
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
11.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
2787
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C15 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link