RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
15.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
77
Por volta de -196% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
5300
Por volta de 4.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
26
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
15.3
Largura de banda de memória, mbps
5300
25600
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
3692
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology C 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link