RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
12.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
77
Por volta de -108% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
37
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
15.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
12.6
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
2962
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link