RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
11.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
77
Por volta de -157% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
30
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
11.0
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
1847
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link