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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
20.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
17.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
19
77
Por volta de -305% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
19
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
20.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
17.8
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
3855
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
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Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
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