RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
12.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
77
Por volta de -126% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
34
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
15.7
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
12.0
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
2831
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 9905595-010.A00LF 2GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Mushkin 991586 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link