RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
18.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
15.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
21
77
Por volta de -267% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
21
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
18.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
15.0
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
3255
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link