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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
19.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
15.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
77
Por volta de -285% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
20
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
19.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
15.8
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
3327
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
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