RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
16.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
77
Por volta de -114% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
5300
Por volta de 4.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
36
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
16.2
Largura de banda de memória, mbps
5300
25600
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
3564
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link