RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
10.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
77
Por volta de -120% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
35
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
14.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
10.6
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
2664
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link