RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
18.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
14.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
77
Por volta de -250% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
22
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
18.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
14.4
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
3255
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link