RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
12.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
77
Por volta de -221% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
24
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
16.1
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
12.2
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
2719
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB Comparações de RAM
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Relatar um erro
×
Bug description
Source link