RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
18.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
13.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
77
Por volta de -250% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
22
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
13.7
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
3283
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link