RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
10.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
77
Por volta de -120% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
35
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
10.0
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
2559
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NC 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link