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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
64
77
Por volta de -20% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.1
2,622.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
64
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
8.1
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
2016
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
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